| 開催期間 |
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2008年9月3日（水）〜5日（金）3日間 |
| 開催時間 |
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10:00〜17:00 |
| 展示会場 |
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幕張メッセ国際展示場 |
| ブースNo. |
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7B-305 |
| 主催 |
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社団法人 日本分析機器工業会 |
お客様各位
拝啓 時下ますますご清祥のこととお慶び申し上げます。
平素は格別のご高配をたまわり厚くお礼申し上げます。
弊社は来る2008年9月3日〜9月5日の3日間、幕張メッセ国際展示場で行われる「2008分析展」に下記装置を出展します。当展示会は世界一の規模を誇る分析技術総合展です。万障お繰り合わせのうえ、是非お越し頂ければ幸いです。
１．レジスト現像アナライザー RDAシリーズ
【概要】
薄膜干渉の原理を用いた、樹脂、レジスト膜のアルカリ現像液への現像速度を測定する装置（レートモニター）です。温調された現像液にレジストを塗布した基板を挿入し、単色光のモニター光を当てることでレジスト膜の減膜厚および減膜速度を測定します。フォトレジストの感度の評価、樹脂のDR値による品質管理に威力を発揮します。今回は、パドル現像タイプを出品します。
【仕様】
モニター波長：470nm（薄膜用）、950nm（厚膜用）
モニターチャンネル：1チャンネル（樹脂品質管理用）、18チャンネル（レジスト評価用）
機能：基板の自動挿入、現像液の温調、現像液の自動供給、自動排水
オプション：PH測定機能、透過率測定機能
２．超薄膜対応膜厚計 UTFTA-200 (Ultra Thin Film Thickness Analyzer)
【概要】
チャネルド分光エリプソ法の原理を用いた、レジスト膜、BARC膜、トップコート材、無機膜の膜厚測定システムです。チャネルド分光エリプソ法を用いているため、従来、光干渉方式で測定できなかった超薄膜（10nm以下）の薄膜の膜厚測定が可能です。X-θステージを搭載し、基板面内の全自動測定、測定結果のテキスト出力や、等高線マップ、鳥瞰図の表示が可能です。ArF液浸露光などのBARC膜やTC膜の膜厚測定、管理に最適です。
【仕様】
計測波長：530-750nm
データ取り込み速度：20ms（Siウェハ上のSiO2膜、スポットサイズφ4mm）
膜厚計測範囲：1nm-2000nm（Siウェハ上のSiO2膜）
スポットサイズ：φ4mm
ステージ：ｘ−θ（ウェハサイズ 4-8インチに対応）
出力：測定結果のテキストデータ、等高線マップ、鳥瞰図など
３．フォトケミカル解析用露光ツール UVES-2000
【概要】
レジスト評価用のオープンフレーム露光装置です。Si基板上のレジスト膜に10mm×10mm□の大きさに、露光量を変えて露光できます。超高圧水銀ランプを搭載し、露光波長は248、365、436nmおよびブロード光から選択できます。露光されたウェハを現像アナライザーで測定することで、レジストの感度やコントラストの評価が可能になります。
【仕様】
露光波長：超高圧水銀ランプ光源搭載、バンドパスフィルターにより248、365、436nmおよびブロード光にて露光可能。
露光ステージ：XY露光ステージ搭載 最大25ポイント露光可能
機能：In-situ透過率測定機能およびABCパラメータ計算ソフト搭載
オプション：露光中のアウトガス捕集機能、液浸露光機能
４．受託測定サービス
【概要】
当社が15年培ってきた、半導体開発前工程リソグラフィー技術を取り巻くあらゆる測定・解析・評価業務を代行するサービスです。お客様が研究開発用装置を購入する前の評価サンプルや、装置購入後のコンサルティングサポートとして蓄積してきたノウハウを50項目以上のメニューに分類し、よりお客様のニーズに近いサービスをご提供します。
敬具
平成20年8月吉日
リソテックジャパン株式会社
代表取締役 南 洋一
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